发布时间：2024-11-13 21:12:49 人气： 来源：bob平台官网入口
拓展安森美的碳化硅实力并确保客户供应，以满足可持续ECO的迅速增加，包括电动车（EV）、电动车充电和能源基础设施
2021年8月26日 —领先的智能电源和感知技术供应商安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)和碳化硅 (SiC) 生产商GT Advanced Technologies (GTAT) 于美国时间8月25日宣布已达成最终协议。根据该协议，安森美将以4.15亿美元现金收购GTAT。
GTAT 成立于 1994 年，在包括SiC在内的晶体生长方面拥有丰富的经验。SiC 是下一代半导体的关键材料，可为 SiC 功率开关器件提供技术优势，明显提高电动车 (EV)、EV充电和能源基础设施的系统能效。
该交易将使安森美更好地确保和增加SiC的供应，实现用户对可持续ECO中基于SiC的方案的快速增长需求，包括EV、EV 充电和能源基础设施。随着可持续ECO在未来十年的加快速度进行发展，把安森美的制造能力与GTAT的技术专长相结合，将加速SiC的开发，使安森美更好地服务于客户。这增强的SiC能力将使安森美能够向客户保证关键器件的供应，进一步商用化智能电源技术。
安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury说：“该交易反映了我们对碳化硅方案进行有意义投资的信心和明确承诺，以支持创造智能电源和感知技术，帮助建立一个可持续的未来。我们专注于深化我们在颠覆性技术的领导地位和创新，支持汽车和工业领域，而GTAT带来了在开发晶圆就绪的碳化硅方面出色的技术能力和专知，我们打算加快和扩展这些技术，以更好地增强我们在高增长终端市场赋能客户之能力。我们期待着欢迎GTAT的有才干的员工加入安森美团队，一同推动创新。”
GTAT总裁兼首席执行官Greg Knight说：“今天的公告标志着GTAT开始了新的篇章，证明了我们团队的努力和实力所创造的价值。安森美的战略定位能扩大我们的能力，提供资源和平台，以充分的发挥我们尖端生产技术的潜力，确保我们持续处在先进晶体生长领域的前沿。”
此次收购还加强了安森美对颠覆性、高增长技术进行重大投资的承诺，这与公司最近在其财务分析师日宣布的2025年目标财务模型相一致。正如安森美之前所说，由于公司投资以推动差异化和领头羊，包括在SiC领域的投资，预计2022年和2023年的资本支出将占收入的12%左右。预计该交易不会影响企业2025年的目标财务模型。
安森美计划投资于扩大GTAT的研发工作，以推进150毫米和200毫米SiC晶体生长技术，同时还投资于更广泛的SiC供应链，包括晶圆厂产能和封装。
该交易已获安森美和GTAT董事会的一致批准，预计将在2022年上半年完成。该交易的完成取决于监督管理的机构的批准和其他常规的成交条件。此建议交易不需要安森美股东的批准。
安森美打算用手头的现金和现有的循环信贷为这项交易提供资金。公司预计该交易将在短期内略微稀释其非 GAAP 每股盈利，并在交易完成后一年内增益。
GT Advanced Technologies Inc.及其包括 GTAT Corporation的全资子公司，总部在美国新罕布什尔州哈德逊，为高增长市场制造 SiC 和蓝宝石材料。碳化硅材料是加速采用电动车、大功率工业电机和电信基础设施应用等新一代产品的基础。蓝宝石材料是先进光学、机械和激光应用以及航空航天/国防系统的基础。GTAT 是其服务的多元化市场中重要的供应链合作伙伴。
安森美（onsemi）正推动颠覆性创新，帮助建设更美好的未来。公司专注于汽车和工业终端市场，正加速推动大趋势的变革，包括汽车功能电子化和安全、可持续能源网、工业自动化以及5G和云基础设施等。安森美以高度差异化的创新产品组合，创造智能电源和感知技术，解决世界上最复杂的挑战，并引领创建一个更安全、更清洁、更智能的世界。
2024年1月16日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商-- -大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1681和NCP4390芯片以及SiC MOSFET的3KW高密度电源方案。 图示1-大联大友尚基于onsemi产品的3KW高密度电源方案的展示板图 当前，无论是汽车电动化转型还是光伏、储能等新兴市场的加快速度进行发展都对推动社会可持续发展起到了非消极作用。在这种背景下，业内对于更紧凑、高效的电源需求与日俱增。为满足这一需求， 大联大友尚基于onsemi NCP1681高功率图腾柱PFC控制器和NCP4390 LLC控制器以及SiC MOSFET推出3KW高密度电源方案，以助力高效率和小尺寸电
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AMP 创新型电动汽车充电解决方案采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件 2022年11月14日，美国北卡罗来纳州达勒姆市、加利福尼亚州洛杉矶市与中国上海市讯 -- 全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. 近日宣布， 电动交通电池管理和充电技术的全球引领者 AMP 公司将在其电动交通能量管理单元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。 通过采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术，将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。 AMP 公司硬件工程副总裁 Jiaqi Liang 表示：“在 AMP，我们很清楚碳化硅对于推进汽车电动化的关键重要性。我们很高兴能与 Wolf
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采用自主设计封装，绝缘电阻明显提高！ ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管 ~与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部在日本京都市）开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）。 目前产品阵容中已拥有适用于车载充电器（OBC）等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设施的“SCS2xxxN”。 近年来，xEV得以快速普及，对于其配套的OBC等部件而言，功率半导体是不可或缺的存在，因
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