半导体职业的三大巨子SK海力士、台积电和NVIDIA行将打开深度协作，共同开发下一代高频宽内存技能（HBM）。
这一协作方案估计将在9月的中世界半导体展（Semicon Taiwan）上正式揭露宣告，到时SK海力士社长金柱善将宣布专题讲演。
三方的协作将聚集于HBM技能的研制，以期把握AI服务器要害零组件的制高点，HBM作为一种高功能的3D堆叠内存技能，关于AI和高功能核算处理器的内存功能至关重要。
协作的方针是在2026年完成HBM4的量产，选用台积电的12FFC+及5纳米工艺制作HBM4接口芯片，以完成更细小的互连距离。
这一协作将进一步稳固三方在AI半导体工业中的领导地位，并扩展与等竞争对手的距离。
此外，台积电也在加强其CoWoS-L和CoWoS-R等封装技能产能，以支撑HBM4的大规模量产。
